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J-GLOBAL ID：201602016834494982   整理番号：70A0248798

npnトランジスタ特性の安定化法

Stabilization of n-p-n transistors.

著者 (1件)： HUGHES K L
資料名： Radio Electron Eng  (Journal of British IRE)
巻： 39  号： 6  ページ： 341-344  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0272A  ISSN： 0033-7722  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 製造工程における品質改善法。逆バイアス接合での漏れ電流と順電流利得h_feの高温動作時経時劣化に対する改善策の提案。例としてFerranti社の2N930を対象に考える。前者の原因は酸化物に含まれた塩化物のイオンドリフトに求め,P領域中にn領域が侵入して生しる逆転層の生成を防止するたあボロンを表面付近にのみ高濃度で拡散させる方法を提案する。また後者の原因としてはエミッタ.ベース間接合における表面の空乏層化による再結合促進に求め.けい酸りんガラスで逆電流を防止したものに対して水素アニールを行う方法を提案する。この間.雑音指数との関係も考慮した;写図8参9

シソーラス用語： トランジスタ
準シソーラス用語： トランジスタ(高温下特性改善) ,  逆バイアス接合漏れ電流 ,  高温下寿命改善 ,  高温下特性改善 ,  順電流増幅率 ,  順電流増幅率(高温下寿命改善)

タイトルに関連する用語 (2件)： NPNトランジスタ ,  安定化法