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J-GLOBAL ID：201602016846160435   整理番号：71A0247467

負性抵抗ダイオードを用いた分布単方向性マイクロ波増幅

Distributed unidirectional microwave amplification with negative resistance diodes.

著者 (3件)： HINES M E ,  PAIK S F ,  WALLACE R N
資料名： IEEE Int Conv Dig  (IEEE International Convention Digest)
号： Digest  ページ： 366-867  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0216B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近のマイクロ波電力増幅器の理論と実際について要約した。分布形のマイクロストリップアイソレータにそって並べられたIMPATTダイオードを用いた増幅器である。50Ωのマイクロストリップ線路は基板にフェライトを用いており,ダイオードの負性抵抗に周波数特性がなければ帯域幅は伝送線路の帯域幅となる。6個のダイオードを用い8~10GHzで出力9W,利得6~10dBが得られた。アイソレーションは20~30dBで雑音指数は約33dBである;写図3参1

シソーラス用語： IMPATTダイオード ,  アイソレータ ,  ストリップ線路 ,  高周波増幅器
準シソーラス用語： マイクロ波増幅器

タイトルに関連する用語 (5件)： 負性抵抗ダイオード ,  分布 ,  方向性 ,  マイクロ波 ,  増幅