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J-GLOBAL ID：201602016888884808   整理番号：74A0047121

半導体の三次感受率の理論

Theory of the third-order susceptibility of semiconductors.

著者 (4件)： Van VECHTEN J A ,  CARDONA M ,  ASPNES D E ,  MARTIN R M
資料名： Proc Intern Conf Phys Semicond 10th Cambridge Mass  (Proceedings International Conference on the Physics of Semiconductors 10th 700817)
ページ： 82-86  発行年： 1970年 
JST資料番号： K19700249  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体の束縛電子による三次固有光学感受率を計算した。バンド内およびバンド間効果をしらべ,前者が支配的であることを示した。三っの放物バンド端EEE6をパラメータとする状態密度模型を用いた。狭いギャップの半導体では最小ギャップの寄与が大きい。SiやGeで観測されている異方性は,局所場とE,端の寄与による;寿2参16

シソーラス用語： 光学感受率 ,  半導体
準シソーラス用語： 三次感受率

タイトルに関連する用語 (2件)： 感受率 ,  理論