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J-GLOBAL ID：201602016928038778   整理番号：73A0037412

低移動度物質の非オーム性抵抗における熱的効果

A thermal mechanism for non-ohmic resistance effects in low-mobility materials.

著者 (2件)： CROITORU N ,  POPESCU C
資料名： Proc Intern Conf Conduction Low-Mobility Mater 2nd Eilat  (Proceedings International Conference on Conduction in Low-Mobility Materials 2 710405)
ページ： 311-318  発行年： 1971年 
JST資料番号： K19710188  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質半導体等による二端子構造のスイッチ現象における負性抵抗の原因として横方向の熱的不安定性を考えた解析を行い,電流電圧特性の定量的な検討から実験との良い一致をえた。実際の素子に現われる負性抵抗は結晶性伝導フィラメントの形成のされ方が多様であるため複雑であるが,種々の実験結果と解析結果を比較している;写図4参15

シソーラス用語： スイッチ効果 ,  負性抵抗
準シソーラス用語： 非晶質半導体 ,  無定形半導体

タイトルに関連する用語 (4件)： 移動度 ,  物質 ,  オーム ,  熱的効果