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J-GLOBAL ID：201602017004223184   整理番号：70A0040748

n型エピタクシーGaAsの不純物伝導の磁気制御

Magnetic control of impurity conduction processes in n-type epitaxial GaAs.

著者 (2件)： HALBO L ,  SLADEK R J
資料名： J Non-Cryst Solid  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 4  ページ： 192-199  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温で26KGまでの磁場を用いエピタクシーn-GaAsのホール効果と電気抵抗を測定した。フェルミ準位は孤立したドナーのイオン化エネルギーと同様に伝導帯から離れてゆくことがわかった。ドナーの不純物準位は磁場によって影響を受け,キャリヤのホール係数が磁場の増加につれ減少する;写図4参16

シソーラス用語： ひ化ガリウム ,  不純物伝導
準シソーラス用語： GaAs ,  磁気制御 ,  磁気制御(不純物伝導) ,  不純物伝導(GaAs)

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタクシー ,  GaAs ,  不純物伝導 ,  磁気制御