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J-GLOBAL ID：201602017223760993   整理番号：65A0246680

n型ゲルマニウムの金属不純物伝導における負の磁気抵抗

著者 (1件)： 佐々木亘 (Electrotechnical Laboratory)
資料名： J Phys Soc Jpn  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 20  号： 5  ページ： 825-833  発行年： 1965年 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sb原子2.10¹⁷cm^-3以上を含むn型Geにおける磁気抵抗効果を液体ヘリウム温度で測定これら試料は金属不純物伝導を示し,磁気抵抗は磁場3~10kOEを与えたときに数%減少する.低磁場磁気抵抗係数の大きさはより高濃度のドナーを含む試料においてより大きく,温度が低下すると大きくなるこの負の磁気抵抗は不純物電子の間に形成された局在化能率によると仮定してこの現象を考察した.

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲルマニウム ,  金属不純物 ,  伝導 ,  負の磁気抵抗