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J-GLOBAL ID：201602017227075462   整理番号：64A0183730

飽和形ブッシュプル回路の電荷蓄積時間に由来するトランジスタ焼損の防止

Avoiding storage-time punch-through in saturated push-pull circuits.

著者 (1件)： MILLER J
資料名： Electron Des  (Electronic Design)
巻： 12  号： 4  ページ： 72,74-75  発行年： 1964年 
JST資料番号： C0397A  ISSN： 0013-4872  CODEN： ELODA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 2A以上,10kc以上で働くプッシュプル回路では,エミッターコレクタ間の短絡がしばしはおきる。異常電圧が原因でない場合には,これは電荷蓄積時間の重りあいが原因である。電荷の蓄積が拡散する前に逆電圧がかかるので,エミッターコレクタ間に大きな電流が流れて焼損する。これを防ぐには,各周期の電流が流れ終った直後に入力端子に逆電圧バイアスをかけることと,ON時間をずらせることが必要である。これはエミッタ回路にCR回路を入れることによって実現できる;図4

タイトルに関連する用語 (4件)： 飽和 ,  電荷蓄積時間 ,  トランジスタ ,  焼損