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J-GLOBAL ID：201602017288555890   整理番号：58A0061241

拡散ベース型Geトランジスタの特性,構造,動作

Characteristics, Structure, and Performance of a Dif-fused-Base Germanium Oscillator Transistor.

著者 (3件)： WARNER R M Jr ,  EARLY J M ,  LOMAN G T
資料名： IRE Trans Electron Device  (IRE Transactions on Electron Devices)
巻： ED-5  号： 3  ページ： 127-130  発行年： 1958年 
JST資料番号： C0222A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 拡散ペース型のトランジスタの多くの自由度を利用した200Mcの発振用トランジスタ設計試作の報告.低いベース抵抗.コレクタ抵抗と.コレクタ破壊電圧の0.3倍の動作電圧とが望ましい.エミツタおよびベースは各々1×6ミルで0.5ミル間隔,コレクタは4.5×8ミルである.10C10mAの動作点でfα=600Mc, γb’=35Ω, Cc=1.0pFである,-20Vで200Mcに誇お発振能率は50%

分類 (1件)： (EC040206)

タイトルに関連する用語 (3件)： 拡散 ,  Ge ,  トランジスタ