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J-GLOBAL ID：201602017308989540   整理番号：63A0004801

GaAsエレクトロルミネセンスでのドナー状態の役割の証拠

Evidence for the role of donor states in GaAs electroluminescence.

著者 (5件)： GALSETFER F L ,  WRIGHT G B ,  KRAG V E ,  QUIST T M ,  ZEIGER H J
資料名： Phys Rev Lett  (Physical Review Letters)
巻： 10  号： 11  ページ： 472-474  発行年： 1963年 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： GaAsダイオードのメーザ作用に関係している放射について高磁場の影響をしらべた。発光エネルギーはH²に比例して高エネルギー側にずれる。これはGaAsのドナーの基底状態を通って遷移が行われることを示す。水素様状態の磁場によるシフトと考えると実験からm^*=0.074m₀が得られる

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  エレクトロルミネセンス ,  ドナー ,  役割 ,  証拠