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J-GLOBAL ID：201602017376418305   整理番号：70A0038608

静水圧下のGaAsの電界反射スペクトル

Electroreflectance spectra of GaAs at hydrostatic pressure.

著者 (2件)： BENDORIUS R ,  SHILEIKA A
資料名： Solid State Commun  (Solid State Communications)
巻： 8  号： 14  ページ： 1111-1113  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温で,6800kg/(20)までの圧力をかけて,GaAsの電界反射スペクト’ルのEE。+△,ElおよびEI+△1の四つのピークに対する静水圧の効果を測定。この結果から,各々の遷移のエネルギーの静水圧に対する変形ポテンシャルの値と,スピン軌道分裂△。と△1の値を定めた;表1参16

シソーラス用語： 圧力依存性
準シソーラス用語： GaAs ,  スピクトル ,  圧力効果 ,  圧力効果(電場反射) ,  電場反射 ,  電場反射(スピクトル) ,  変形ポテンシャル

タイトルに関連する用語 (4件)： 静水圧 ,  GaAs ,  電界反射 ,  スペクトル