文献

J-GLOBAL ID：201602017404727165   整理番号：71A0035427

閉管.二段温度法によるシリコンへの亜鉛の拡散

Zinc diffusion into silicon by a closed-tube. two-temperature technique.

著者 (1件)： ZALAR S M
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 41  号： 8  ページ： 3458-3464  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 時間(15分-16時間).シリコンの伝導形(P.N).温度(900-1000°C).亜鉛温度(600-900°C),および化学処理条件の影響を考慮してシリコンへの亜鉛の拡散を研究。拡散は時間の1/2乗依存性を示したが,数分の初期時間遅れが見られた。これは表面に薄いSiO2が存在するためと考えられる。50-760Torrの圧力範囲では,亜鉛の圧力の非直線関数であった。亜鉛を含む試料と含まない試料の抵抗率に対する1000°Cの熱処理の影響も研究。N+-P形パワーダイオード構造に亜鉛を拡散した;写図11参12

シソーラス用語： PN接合 ,  亜鉛 ,  拡散 ,  熱処理
準シソーラス用語： Si中 ,  シリコン ,  亜鉛(Si中)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  亜鉛 ,  拡散