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J-GLOBAL ID：201602017486126377   整理番号：64A0091111

単結晶成畏の蒸気一液体-固体機構

Vapor-liquid-solid mechanism of single crystal growth.

著者 (2件)： WAGNER R S ,  ELLIS W C
資料名： Appl Phys Lett  (Applied Physics Letters)
巻： 4  号： 5  ページ： 89-90  発行年： 1964年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： Siホイスカー成果には不純物の存在が重要であり,その成長端は小球形である。蒸気からの結晶成長の際,不純物は低融点をもつ液状合金核を形成し.ここに蒸気成分が集積して過飽Si液が生ずる。実験はSiの表面にAu,Pt,Ag,Pd,CuやNiの微粒子を附着させて950°Cで加熱する。ホイスカーの直径は1000~02mmが得られる。a-Ai2O3,SiCの成長もこの機構によるものと考えられる。ここに提唱した成畏機構大きい結晶やエピタクシー層の成畏にも広く適用しうる

タイトルに関連する用語 (3件)： 単結晶 ,  蒸気 ,  固体