文献
J-GLOBAL ID：201602017493884856 整理番号：65A0015566
MoTe
2
の半導体的性質
Proprietes semiconductrices du ditellurure de molybdene.
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著者 (1件)：
LEPETIT A
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資料名：
J Phys (Journal de Physique et le Radium)
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巻：
26
号：
4
ページ：
175-179
発行年：
1965年
JST資料番号：
C0336A
ISSN：
0302-0738
CODEN：
JOPQA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
フランス (FRA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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蒸気相輸送によりMoTe
2
の単結晶を作り,その電気抵抗,ホール係数,ゼーベック係数を64~1000°Kの範囲で測定した。測定結果を,状態密度が電子に対しては1.4×10
16
T3/2cm
-3
,正孔に対しては2.9×10
16
T3/2cm
-3
でホール移動度の比が約1のバンド模型で説明し,0°Kでの間接バンドギャップとして(1.020±0.015)eV,温度係数5.4×10
-4
eV/°Cをえた;図8表1参8
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