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J-GLOBAL ID：201602017578714305   整理番号：64A0014435

GaAsの再結合光放出の機構

О механизме рекомбинациоиного излучения аре е ни да галлия.

著者 (5件)： Б А ГЛЕБ Б С ,  Б ЕЮ ЗА ШЕИ ЛИ Ю Н ,  ВУЛ Б М ,  ЗАВАРИЦКАЯ Э И ,  ШОТОВ А П
資料名： Fiz Tverd Tela  (Fizika Tverdogo Tela)
号： 4  ページ： 1235-1238  発行年： 1964年 
JST資料番号： R0029B  ISSN： 0367-3294  CODEN： FTVTA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN) 

抄録/ポイント： Teを含むGaAsにZnを拡散して作ったPN接合に注入して,自然および誘導光放出をしらべた。放出光スペクトルの極大の位置と巾は温度と不純物濃度に依存する。放出は,ドナーバンドと重っている伝導バンドから,Znのアクセブタバンドヘの遷移によると結論される

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  再結合 ,  光放出