抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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77°Kで四塩化炭素多結晶体にγ線を照射した場合に,正電荷は移動してマトリックス自体にトラップされるが,この正孔の吸収は純粋の四塩化炭素の場合も芳香族アミンの希薄固溶体の場合もλmaxは400mμであった。この吸収はN,N,N
1,N
1-テトラメチル-p-フェニレンジアミン,N,N-ジメチル-p-フェニレンジアミン;N,N,N
1,N
1-テトラメチルペンチジン;トリフェニルホスフィン;ジフェニルアミン;N-メチルジフェニルアミンにアニリンおよびN-メチルアニリン等の添加物により弱くなり同時にこれ等添加物のカチオンに相当する吸収が生ずるようになる。またこの400mμの吸収は77°Kでの照射後タングステン光をあてると徐々に消滅し,さらに143°Kまで温度をあげても同じような現象が起る。この結果を動力学的に考察したところ,この系では正電荷の移動が四塩化炭素から添加物へ移動する過程のみを考えればよいことになり,G(CCl〓)は1.9であることがわかった;図8参17(松井 正夫)