抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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X線回折方法を用いて,真空中で炭炭化けい素(6H)の単一結晶を加熱するとき起きる構造変化が研究された結晶を誘導炉中で1時間,2280°Cまで加熱することにより,元のSiC結晶の形態を保留しているが,石墨結晶格子発達上の様々な段階から成る複雑な構造を有する仮像が形成された.Sicの格子と加熱形成された仮像構造との間には一定の関係が発見された.matrixの複雑な性質が述べられ,分解のメカニズムが推定示唆される;写11図4参6