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J-GLOBAL ID：201602017634242004 整理番号：64A0167584
GeおよびSi拡散層における能動的不紹物濃度の分布の測定
Meranie priebehu koncentracie aktivnych primes v difuznych vrstvach Ge a Si
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著者 (1件)：
BELLUS E
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資料名：
Slaboproudy Obz (Slaboproudy Obzor)
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巻：
2
号：
7
ページ：
394-398
発行年：
1964年
JST資料番号：
H0200A
ISSN：
0037-668X
CODEN：
SLOZA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
旧チェコスロバキア (CSK)
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微分導電率測定法を使用して,GeおよびSi拡散層において任意分布を持つ不純物濃度の決定法を述べた。この方法の適否について,実際に発生する種々の拡散層の場合について検討を加えた。この方法について考えられる測定誤差と測定結果の評価についても述べた最後に,この方法の可能性を,Si二重拡散層の測定例によって立証した;図8
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