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J-GLOBAL ID:201602017739126573   整理番号:65A0173264

電界効果トランジスタを含むインテグレーテッド回路

FET complementary integrated circuits : aerospace natural.
著者 (1件):
資料名:
巻: 37  号: 32  ページ: 55-58  発行年: 1964年 
JST資料番号: B0455B  ISSN: 0013-5070  CODEN: ELECA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: アメリカ合衆国 (USA) 
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人工衛星と航空装置に用いるNORおよびNAND回路を示す.PチャネルFET3ことNチャネルFET3ことを用いている.ドレン・ソース間抵抗は1000MΩ以上ある.電力消費を少くするよう設計し次段の入力インピーダンスは完全に容量性である.消費は主としてスイッチング時に生ずる,設計に当り考慮すべき点としては,電源電圧で,ゲート・基板間,ドレン・ソース間,ドレン基板間の破壊電圧で決り10V以下である.スイッチ速度を早くするにはオン・チャネル抵抗および入力容量を小さくする.スイッチ時定数は生じたチャネルの長さの自乗に比例する.最後に実験例を説明した;写3図3
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