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J-GLOBAL ID：201602017741606337   整理番号：64A0185525

低電力薄膜記憶素子

Low-power thin-film memory.

著者 (3件)： KRIESSMAN C J ,  MATCOVICH T J ,  FLAHKERY W E
資料名： IEEE Trans Commun Electro  (AIEE Communication & Electronics)
巻： 83  号： 74  ページ： 519-524  発行年： 1964年 
JST資料番号： A0339A  CODEN： IECEA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 20mAの電流で動作する固体回路などに適した磁気薄膜記憶素子製造技術を開発。26milの銅板上に磁性体を電着し,必要な形にエッチングする。密着をよくするために数百蔓のクロームを電着し,SiO絶縁層,Al導体層を交互に真空蒸着する。駆動電力を小さぐするために,護異方性の少い組成の磁性体を使い,(2)単位駆動電流に対する磁場を大きくするため駆動ラインは細くし(5mil),3薄膜素子は形状異方性の小さい形とした。20~30mAの電流で脳比は良好,スイッチングタイムは10nsec以下。蒸着能動素子二開発されば1/2in3内に256語32ビットの完全な記憶装置がすできる;写2図8表1参8

タイトルに関連する用語 (3件)： 低電力 ,  薄膜 ,  記憶素子