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J-GLOBAL ID：201602017741681266   整理番号：71A0045322

種々の強さの接触および体積注入した単極および準単極半導体の電流-電圧特性の理論

Theory of the currentvoltage (I-U) characteristics of monopolar and quasi-monopolar semiconductors with different intensities of cont act and volume injection.

著者 (3件)： ZYUGANOV A N ,  PISMENNYI Yu G ,  SVECHNIKOV S V
資料名： Phys Status Solidi B  (Physica Status Solidi)
巻： 44  号： 1  ページ： 85-95  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 感光性のある半導体の静的な電流一電圧特性の分散しない理論を,普通この種の物質に対して用いる2-バンドの範囲内で提案した。I-U特性の解析により.バンド構造の二三のパラメータの決定,接触による注入の性質の決定,および固有吸収領域における半導体の励起条件の下での再結合チャネルのスイッチングの固定が可能。接触注入の有限な値の為捕獲充満制限電圧(V_TFL)領域でのI-U特性の最大傾斜は一定の値になる;写図2参14

シソーラス用語： バンド構造 ,  空間電荷制限電流 ,  半導体
準シソーラス用語： 接触注入 ,  電流-電圧特性

タイトルに関連する用語 (6件)： 強さ ,  体積 ,  注入 ,  極 ,  電圧特性 ,  理論