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J-GLOBAL ID：201602017805767631   整理番号：65A0158230

磁性薄膜におけるの強磁性共鳴のバラメトリック励振

Parametric excitation of the ferromagnetic resonance in thin magnetic films at Gcs

著者 (1件)： SABBAH K
資料名： Proc IEEE  (Proceedings of the IRE)
巻： 188852  号： 5  ページ： 536-537  発行年： 1965年 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： G11‘b∂rtの方程式から発振条件,励振電力に対する発振振幅,スピン減衰,直流磁界などを計算した。励振側おJ:び発振側から見た等価回路も与えた。直流磁界耻にjりz方向の磁化を飽和し,同方向にストリップ線路にjにり周波数2fの磁界を加えて励振する。この場合回転磁気共鳴周波数fの薄膜面内のオ差発振は発振磁化べタトルJを用いて説明される。発振振幅はx方向に軸をもつコイルに誘導される電圧にjり測定した。実鹸結果と計算はきわめて良く一致した。H。を強くしていく場合はいくらか一放しないが,このヒステリシスの原因は磁化飽和効果にあると思われる;図2

タイトルに関連する用語 (5件)： 磁性薄膜 ,  強磁性共鳴 ,  バラ ,  メトリック ,  励振