文献

J-GLOBAL ID：201602017807315304   整理番号：70A0249187

イオン打込みによる半導体素子製造技術

著者 (1件)： 徳山たかし
資料名： 電子科学  (Electronic Science)
巻： 20  号： 6  ページ： 65-71  発行年： 1970年 
JST資料番号： G0074A  ISSN： 0415-410X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 不純物をイオンの形とし,これを高エネルギーに加速し直接基板に照射してその中に打ち込む,イオン打込み法は拡散法に比較して,不純物の導入量が処理中にモニタでき,不純物濃度の制御範囲が広いなど特徴がある。本文では,拡散法と比較した特徴について述べ,イオン打込み装置について説明した。半導体技術への適用についてその概要を述べた;写図11表4

準シソーラス用語： イオン打込み

タイトルに関連する用語 (2件)： イオン打込み ,  半導体素子製造