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J-GLOBAL ID：201602017840592208   整理番号：70A0245642

高周波放電のスパッタリングへの応用

Application of RF discharges to sputtering.

著者 (2件)： KOENIG H R ,  MAISSEL L I
資料名： IBM J Res Dev  (IBM Journal of Research and Development)
巻： 14  号： 2  ページ： 168-171  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0061B  ISSN： 0018-8646  CODEN： IBMJAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波放電の動作とその内部竜圧会布について記述し,とくに絶縁体のスパッタリングに関するその意義を議論する。グロー・スペースのポテンシャルはほとんど一様で,両電極間のポテンシヤル塗大部分両電極におけるダーク・スペースに現われる。イオンと電子の移動度の差が大きいため,グロー・スペースのポテンシャル両極表面のポテンシャルより高い。この放電に対する等価回路を用いて,圧力や磁界のようなパラメータが三あ回路の部品に及ぼす影響を議論した。さらに,蒸着中に基板に入射する正イオン,電子,負イオンのエネルギー分布についても記述した;写図3参14

シソーラス用語： スパッタリング ,  高周波放電
準シソーラス用語： 高周波スパッタリング ,  高周波スパッタリング(高周波放電) ,  高周波放電(スパッタリング)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高周波放電 ,  スパッタリング ,  応用