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J-GLOBAL ID：201602017849282678 整理番号：65A0081606
ピタキシアル成長に及ぼす下地配向の効果
The effects of substrate orientation on epitaxial growth.
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著者 (1件)：
TUNG S K
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資料名：
J Electrochem Soc (Journal of the Electrochemical Society)
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巻：
112
号：
4
ページ：
436-433
発行年：
1965年
JST資料番号：
C0285A
ISSN：
0013-4651
CODEN：
JESOAN
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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標記効果を成長速度と表面状態に関連させて研究した反応応はSiCl4の水素還元で行ない,成長速度は角度研磨腐食で測定した。成長長は<111>面で最も遅くこれからずれる速くななる。表面のララミッドは成長速度小なるときは見られす<111>からずれたときに出来る。この結果は,析出速度が反応速度と成長速度の兼ね合い決ままるという提案を支持する
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