文献

J-GLOBAL ID：201602017871743506   整理番号：72A0035195

無定形半導体の誘電率

The dielectric constant of amorphous semiconductors.

著者 (1件)： HINDLEY N K
資料名： Solid State Commun  (Solid State Communications)
巻： 9  号： 13  ページ： 987-989  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無定形半導体の電気分極を計算した。誘電率の温度変化はエネルギーギャップの温度依存性から起ることが明らかになった;参10

シソーラス用語： 相転移 ,  無定形 ,  誘電率
準シソーラス用語： 非晶質 ,  無定型半導体 ,  誘電率(非晶質)

タイトルに関連する用語 (2件)： 無定形 ,  誘電率