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J-GLOBAL ID:201602017878108571   整理番号:71A0048194

量子化磁場下の半導体の微分磁化率の磁気フォノン振動の理論

К теории магнитофононных осцилляций дифференциальной магнитной восприимчивости полупроводников в квантующем магнитном поле.
著者 (1件):
資料名:
巻: 14  号:ページ: 33-37  発行年: 1971年 
JST資料番号: R0145A  ISSN: 0021-3411  CODEN: IVUFA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語: ロシア語 (RU)
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強い磁場の中に置かれた半導体のキャリアが光学フォノンと相互作用をしているとき.その微分磁化率は磁場の振動関数となる。その振動の山の位置はω0=nΩ0によって決められる。ここで,ω0は光学フォノンの振動数Ω0はキャリアのサイクルトロン振動数nは整数である。グリーン関数の方法で計算した結果,共鳴ピークの振幅はg2/3に,ピーク幅は4/3に比例することが明らかとなった。ここでgは電子一フォノン相互作用;参4
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