抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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小信号容量電圧特性を5段階の中性子線量を当てて周波数1kHz,10kHz,100kHzおよび1MHzで調べた。2つの深い欠陥レベルの等価回路的表現をとり入れたコンピュータ利用素子モデルを作り,3種類の照射前比抵抗値のp
+nn
+ダイオードの中性子照射による静電容量特性を計算した。線量につれて点欠陥は直線的に増大すると仮定したが,実験データを合わせるための欠陥エネルギレベルの値などは既発表のものとよく一致する。しかしn
+pp
+については余りよく合わない。おそらく実効空間電荷幅のバイアス依存性に原因があると思われる