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J-GLOBAL ID:201602017904421232   整理番号:72A0362298

中性子照射したn+pp+およびp+nn+接合の容量電圧特性

Capacitance voltage characteristics of neutron irr-adiated n+pp+and p+nn+junctions.
著者 (2件):
資料名:
巻: 18  号:ページ: 410-419  発行年: 1971年 
JST資料番号: C0235A  ISSN: 0018-9499  CODEN: IETNAE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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小信号容量電圧特性を5段階の中性子線量を当てて周波数1kHz,10kHz,100kHzおよび1MHzで調べた。2つの深い欠陥レベルの等価回路的表現をとり入れたコンピュータ利用素子モデルを作り,3種類の照射前比抵抗値のp+nn+ダイオードの中性子照射による静電容量特性を計算した。線量につれて点欠陥は直線的に増大すると仮定したが,実験データを合わせるための欠陥エネルギレベルの値などは既発表のものとよく一致する。しかしn+pp+については余りよく合わない。おそらく実効空間電荷幅のバイアス依存性に原因があると思われる
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