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J-GLOBAL ID：201602017906818997   整理番号：65A0162526

酸化膜によって保護されたSiにおいて水素によって導入される表面空間電荷領域

Hydrogeninduced surface spacecharge regions in oxideprotected silicon.

著者 (3件)： OLMSTEAD J ,  SCOTT J ,  KUZNET-ZOFP P
資料名： IEEE Trans Electron Devic  (IRE Transactions on Electron Devices)
巻： ED12  号： 3  ページ： 104-107  発行年： 1965年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 一般に酸化膜で保護されたSi表面の電荷の蓄積効果は比較的低温処理によって容易に変化する。ここでは水素ガス中での低温処理によって下地SiにP型を用いた場合には酸化膜とSiとの界面にN型の表面逆転層が形成されることを認めた。実験はP型母体を用いた,Si-MOSトランジスタのゲート電極を取りつけない試料を用いて水素雰囲気中での熱処理効果を種種の温度,時間に対しソース,ドレイン間のチャネル抵抗を測定することによって検討した;図6参13

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化膜 ,  Si ,  水素 ,  空間電荷領域