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J-GLOBAL ID：201602017974693841   整理番号：70A0247826

Siの部分酸化とその半導体装置への応用

Local oxidation of silicon and its application in semiconductor-device technology.

著者 (5件)： APPELS J A ,  KOOI E ,  PAFFEN M M ,  SCHATORJE J J H ,  VERKUYLEN W H C G
資料名： Philips Res Rep  (Philips Research Reports)
巻： 25  号： 2  ページ： 118-132  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0313A  ISSN： 0031-7918  CODEN： PRREA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siの酸化速度がSi₃N₄のそれよりも格段に速いことを利用,これをマスクとして用いることにより,Si表面を部分的に酸化する方法を完成,この構造をLOCOSと名づけた。Si₃N₄膜は後除去されてプレーナ法と同様にトランジスタ構造を得ることができる。部分的に形成された酸化膜はSi中に深く入っており誤差の少ない構造となっているため,この部分での配線の切れなどのトラブルが少ない。本技術の応用は個別素子および集積回路に広い分野を有している;写図12参18

シソーラス用語： 部分酸化 ,  膜
準シソーラス用語： LOCOS ,  LOCOS(SiO₂膜) ,  Si ,  Si(部分酸化) ,  SiO₂ ,  SiO₂(膜/部分酸化) ,  SiO₂膜 ,  酸化法 ,  酸化法(Si)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  部分酸化 ,  応用