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J-GLOBAL ID：201602017993131412   整理番号：71A0036487

高抵抗GaAsに光を照射した時の負の微分伝導率

Отрицательная дифференциальная проводимость в высокоомном арсениде галлия при освещении.

著者 (5件)： ГОНТАРЬ В М ,  ЕГИАЗАРЯН Г А ,  РУБИН В С ,  МУРЫГИН В И ,  СТАФЕЕВ В И
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 5  号： 6  ページ： 1061-1066  発行年： 1971年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： Crで補償されたGAAsに光を照射して負の微分抵抗を観測した。単色光と温度の電流電圧特性および負抵抗における電流発振に対する影響をしらべた。温度抑制効果から0.1ev準位が関与しているものが分った。電流電圧特性は,N字型のものもS字型のものもある。2準位モデルによる説明を試みた;写図8参13

シソーラス用語： 光照射 ,  負性抵抗
準シソーラス用語： GaAs

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  微分 ,  伝導率