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J-GLOBAL ID：201602018031369065   整理番号：71A0041730

シリコンの表面状態の計算

On the calculation of surface states of silicon

著者 (1件)： ALSTRUP I
資料名： Phys Status Solidi B  (Physica Status Solidi)
巻： 45  号： 1  ページ： 209-215  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンの(110)薄板の表面バンドの計算を,第2近接まで考え〓こ壼交モテルと,第3近接までとり入れた非直交モデルの原子軌道一次結合法で計算した。表面状態の密度は(111)面に対して為された結臭と大差なく,またバンドの形や位置は表面領域のモデルに依存〔ている。中性のフェルミレベルを求あるとその位置は表面領域かr,cずれ無どう着でない;写図4参22

シソーラス用語： バンド構造 ,  表面状態
準シソーラス用語： LCAO法 ,  シリコン

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコン ,  計算