抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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(100)方向に伸びたN形シリコンから厚さ0.5mmの小片を切り取りそれを湿った酸素中で1000°Cで酸化しその片側にインジウムを蒸着し他方の側にシリコンをつけてバラクタを作った。そして1Mc/sでWayne-Kerrブリッチを用い,酸化物の幅が1100Å,600Å,300Åの時容量のバイアス依存性を測定し理論との一致をみた;図1参8