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J-GLOBAL ID：201602018049059136   整理番号：72A0043347

TTL回路におけるショットキーダイオード

Schottky diode in TTL circuits.
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著者 (1件)：
RIBENYI A

RIBENYI A について


資料名：
Proc Intern Conf Phys Chem Semiconductor Heterojunctions Layer Struct Budapest Vol V  (Proceedings. International Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures 701011 Vol.5)

Proc Intern Conf Phys Chem Semiconductor Heterojunctions Layer Struct Budapest Vol V について


ページ： 349-354  発行年： 1971年 
JST資料番号： K19700155  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： ハンガリー (HUN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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TTL型のロジックICについて,容量性負荷で動作している場合の電カー速度積.動作速度因子を調べて,ショットキーダイオードによるトランジスタ蓄積電荷の除去によって動作速度が著しく早められることを述べている;写図4参5
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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Schottkyダイオード

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