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J-GLOBAL ID：201602018087374452 整理番号：66A0013148
ルピーレーザーにより生じた半導体表面損傷
Semiconductor surface damage produced by ruby lasers.
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著者 (1件)：
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資料名：
J Appl Phys (Journal of Applied Physics)
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巻：
36
号：
11
ページ：
3688-3689
発行年：
1965年
JST資料番号：
C0266A
ISSN：
0021-8979
CODEN：
JAPIAU
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
短報
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
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ルビーレーザーを用いて半導体に生じさせた表面損傷に新しい効果すなわち規則的を平行線が観測された。高純度のGe,Si,GaAs,Gasb,Insb,InAsの鏡面研摩面(III)にルビーレーザー光を照射して欠陥を生じさせ,顕微鏡観測した結果を考察した。表面に生じた突起列は照射光の回折効果に越因する;写2参6
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