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J-GLOBAL ID：201602018097144897   整理番号：72A0040139

SiドープGaAsエピタクシー層の成長特性の方位依存性

Dependence of growth properties of silicon-doped GaAs epitaxial layers upon orientation.

著者 (3件)： AHN B H ,  SHURTZ R R ,  TRUSSELL C W
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 42  号： 11  ページ： 4512-4513  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siドープp-n接合を液相エピタクシー法により三つの基板方位,(100),(111)A及び(111)B上に成長させ,遷移温度の基板方位及びSi濃度依存性を調べた;写図3参14

シソーラス用語： 転移温度
準シソーラス用語： GaAs ,  エピタクシー層 ,  液相エピタクシー法 ,  遷移温度

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  ドープ ,  GaAs ,  エピタクシー層 ,  成長特性 ,  方位依存性