文献

J-GLOBAL ID：201602018123931355   整理番号：70A0035478

サファイア上のシリコン単結晶薄膜の表面の電気的特性

Электрические ха рактеристики поверхности монок рист-а лляче скмх плен о к к ремния на сапфя ре.

著者 (4件)： ЛЫСЕНКО В С ,  ЛНТОВЧЕНКО В Г ,  КОСЕНКО В Е ,  ИГНАТКОВ В Д
資料名： Ukr Fiz Zh  (Ukrainskij Fizicheskij Zhurnal)
巻： 15  号： 3  ページ： 410-415  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0202A  ISSN： 0503-1265  CODEN： UFZHA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 真空中(-10-5Torr)でサファイア上に蒸着したSiのモザイク薄膜の電気的特性を電場効果,光伝導,局所的接触電位差法で研究した。自由表面の電位の《像》をしらべた。薄膜の自由表面ではNおよびP形薄膜で空乏層に(-0.3-(1).7eV)だけバンドが曲がっている。表面捕獲中心の濃度は一(2-10)×1011cm’2である;写図3表1参7

シソーラス用語： サファイア ,  基板 ,  蒸着膜 ,  接触電位差 ,  電場効果 ,  表面
準シソーラス用語： サファイア(基板) ,  シリコン ,  固体表面 ,  光伝導度 ,  捕獲中心 ,  捕獲中心(表面)

タイトルに関連する用語 (4件)： サファイア ,  シリコン ,  単結晶薄膜 ,  電気的特性