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J-GLOBAL ID:201602018139860768   整理番号:72A0030140

サファイヤ上のニオビウムのヘテロエピタクシー膜

Hetero-epitaxial films of niobium on sapphire.
著者 (2件):
資料名:
巻:号:ページ: 71-81  発行年: 1971年 
JST資料番号: C0101B  ISSN: 0040-6082  CODEN: THFIA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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サファイヤの(001)と(TO2)面上に超高真空中で電子ビーム蒸着によりニオビウム薄膜を形成した。(1)基板の方位と(2陛板温度と(3)蒸若速度のそれぞれと蒸着されたニオビウム薄膜の構造との関連を調べた。基板温度が700~1000°Cの間で両方位の基板に対して単結晶ニオビウム膜がえられた;写図5参13
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