抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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Pt-GaAsショットキーダイオードの高周波ショット雑音をガードIlン.グ構造及び非ガードリング構造に対して60MHzで測定した。測定した等価雑音温度は金属一半導体界面効果の無視出来る比較的大きい順方向電流で半導体接合のショット雑音理論と良く一致する。順方向バイアスが小さい時には,測定した雑音は現行の理論による理論値よりは大きい。全熱雑音を示す測定した余鋼リークコンダクタンスを模型に加え,理論と実験の差の部分を説明することが出来る;写図5参14・