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J-GLOBAL ID：201602018223781245   整理番号：71A0243471

化合物半導体の開発はどこまできたか

著者 (1件)： 阜田元良
資料名： 金属  (Materials Science & Technology)
巻： 41  号： 12  ページ： 42-48  発行年： 1971年 
JST資料番号： F0157A  ISSN： 0368-6337  CODEN： KNZKA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： わが国における化合物半導体の中心となるのはオプトエレクト評クス分野で.GaAs,Ga_1-xA1_x,As.GaAs_1-x,P_x,GaPのなどと;外線検知器,ホール素子,磁気抵抗素子としての応用分野をもつ橋bのIIIW族化合物半導体である。現在国産でまかない得る化黛半導体は,GaAs基板結晶とGa_1-x,A1_xAsエピタキシヤル・ウェーハである;写図6表3参6

シソーラス用語： 半導体

タイトルに関連する用語 (2件)： 化合物半導体 ,  開発