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J-GLOBAL ID：201602018255354560   整理番号：71A0246867

SinSio₂システムの界面特性の研究に対する機械的応力の応用

Application of mechanical stress for studying the interface properties of the Si-SiO₂ system.

著者 (1件)： SIVO L L
資料名： Proc IEEE  (Proceedings of the IRE)
巻： 59  号： 2  ページ： 317-318  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ベース電流の表面成分を,ゲート制御n-p-nプレーナトランジスタにおいて,異方性機械応力の関数としてモニターした。半導体および半導体デバイスのバルク特性中に生ずる各種の機械的応力変化については広く論じられているが,応力に影響される表面特性についてはソビエトの研究以外では注意がはらわれていない。本文はこの種研究の予備実験として行ったものであるが,一般に表面特性の研究において,特にイオン化放射にもとづくプレーナトランジスタの表面損傷の予知をする上で,本文の方法の価値,有用性は示される;写図1参5

準シソーラス用語： Si-SiO₂ ,  界面特性 ,  界面特性(Si-SiO₂) ,  機械的応力

タイトルに関連する用語 (4件)： 界面特性 ,  研究 ,  機械的応力 ,  応用