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J-GLOBAL ID:201602018279412218   整理番号:72A0282387

弱磁場における半金属ビスマス・アンチモン単結晶合金の電流磁場効果

著者 (1件):
資料名:
号:ページ: 153-158  発行年: 1971年 
JST資料番号: G0825A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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原子濃度95%のBiと原子濃度5%のSbとの単結晶合金において結晶方向に沿う弱磁場(100e-3000e)でHall電圧効果,磁気抵抗効果,Hall係数変化,磁気抵抗の異方性等を測定する一方,Boltzmann方程式より比電気抵抗成分等の計算値を算出し,弱磁場における電流磁場効果についての考察を行なった。 また等温効果におけるBoltzmann方程式の定式化により不純物帯存在の一つの証拠を得た;写図7表2参4
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