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J-GLOBAL ID:201602018303713437   整理番号:60A0103388

半導体の転位の研究

Investigations of crystal perfection in semiconductor crystals.
著者 (1件):
資料名:
巻: 13  号:ページ: 122-128  発行年: 1960年 
JST資料番号: E0306A  CODEN: SYLTA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA) 
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少数キャリヤの寿命,絶縁破壊電圧,拡散係数など半導体の諸特性は転位により大きく左右されるので,その位置,形,数を正確に知りさらにこれを自由に制御できることがきわめて望ましい。この内前半の目的を達成する3つの方法を解説する。エッチピット計数法は簡単だが甚だ不正確である。所でGe,Siは1.9μの赤外線に対し透明だからこの波長に感じるビゲコンも顕微鏡と閉回路式TVと組み合わせてCuなどをデコレートした試料を観察するとX線回折顕微鏡で観測したのと全く変らない程正確に転位線の位置,形,数が確認できた
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