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J-GLOBAL ID：201602018325268410   整理番号：71A0246546

MOS構造の素子に対する原子炉放射の影響

Влияние реакторного излучения на приборы с МОП-структурой.

著者 (1件)： ПОПОВ В Д
資料名： Izv Vyssh Uchebn Zaved Ra  (Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenij. Radiotekhnika)
巻： 14  号： 4  ページ： 458-460  発行年： 1971年 
JST資料番号： R0151A  ISSN： 0021-3470  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 厚さ200~400AのSiO₂薄膜のシリコンMOS構造に対する放射の効果を電圧容量特性から分析した。 原子炉中心ダクト内での照射では.特性は負電圧側にかたよるが,これは恐らく中性子束に伴うγ線によるイオン化効果が大きいためである。 側面ダクト内照射では正電圧側にかたよるが,これは多分製作時に形成された薄膜内の電子濃度を減少させる,中性子エネルギーによる欠陥の形成作用が大きいためである;写図6参4

シソーラス用語： 原子炉 ,  薄膜 ,  放射線照射
準シソーラス用語： MOS ,  容量-電圧特性

タイトルに関連する用語 (3件)： MOS構造 ,  原子 ,  放射