抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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室温でGaAs中の深い不純物中心がクーロン引力的あるいは中性である場合,上の谷の電子を選択的に捕獲することがLaxの理論を使って証明された。さらにガン発振のしきい電界,しきい谷電流よりずっと低い領域で負性抵抗が現われることも分った。瞬間的なV-1特性はガン発振のしきい電界を与えることから,試料中には二つの型の電流振動が存在する事実を説明できた;写図1表1参23