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J-GLOBAL ID：201602018360017366 整理番号：65A0015268
SiのP-N接台における増倍
l r Multiplication in silicon pn junctions.
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著者 (1件)：
MOLL J L
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資料名：
Phys Rev Part A (Physical Review. Part A)
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巻：
122
号：
34
ページ：
4938-4939
発行年：
1965年
JST資料番号：
D0323A
CODEN：
PRVAA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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SiのPーNーPとNーPーNトランジスタのコレクタ接合点で,10
16
/cm
2
の中性子をあてる前と後との増倍値を測定。照射の前後で増倍値も:P-N-Pの接合容量も不変。これは,余分の散乱中心がつけ加わることによって,電子と正孔のイオン化速度が変らぬため.Leeらの観測と違ったのは,彼らが接合の場を決める時誤ったためと思われる;図1参2
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