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J-GLOBAL ID：201602018426216926   整理番号：72A0038528

半導体中の遷移金属不純物の光イオン化理論に関するコメント

Comments on the theory of photoionization of transition metal impurities in semiconductors.

著者 (1件)： LANGER J M
資料名： Phys Status Solidi B  (Physica Status Solidi)
巻： 47  号： 2  ページ： 443-449  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属不純物の3dⁿ殻から伝導帯への電子励起をともなう光イオン化スペクトル形状を計算した。4pⁿと3dⁿ状態間の配位混合の効果も考慮し,一軸結晶の吸収係数をEC.E⊥C(Cは結晶軸)の場合に求めた;写図2参11

シソーラス用語： 光イオン化 ,  光吸収
準シソーラス用語： 遷移金属不純物 ,  不純物励起

タイトルに関連する用語 (5件)： 遷移 ,  金属不純物 ,  光イオン化 ,  理論 ,  コメント