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J-GLOBAL ID：201602018505797934   整理番号：65A0171528

半導体エピタキシャル薄膜の電気物理的パラメータの研究方法解説

МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОКОБЗОР.

著者 (1件)： КОШЕВОЙ Ю А
資料名： Prib Tekh Ehksp  (Pribory i Tekhnika Ehksperimenta)
号： 1  ページ： 5-16,6(1)  発行年： 1965年 
JST資料番号： R0082A  ISSN： 0032-8162  CODEN： PRTEF   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN) 

抄録/ポイント： エピタキシャル成長の方法により単結晶半導体薄膜を得ることは現在大いに注目されている.最良の性質をもつ薄膜の製作の技術を完成するための広範な研究においては,一連の電気物理的パラメータを測定し,エピタキシャル薄膜の横断面および縦断面内でのそれらの分布を制御することが必要である.この解脱の内容は,1.厚さの測定,2.深針による抵抗率測定法,3.電荷担体の濃度,移動度および寿命の測定,4.横断面および縦断面内における不純物の分布の研究,5.構造欠陥の研究方法,である;写2図9参45

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル ,  薄膜 ,  電気物理 ,  パラメータ ,  研究