抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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X線領域の光照射による光イオン化の研究の一環として.SiF
4の超軟X線吸収スペクトルを測定。siのL
1(2s).L
〓.m(2P)の吸収帯を,100~170eVに.またFのK(1s)吸収帯を680-750eVに観測。SF,の場合と同様,両者の吸収の数と相対位置一致することから,SiとFの内殻から,同一の分子状態への遷移と考える。この型の分子で準定常状態ができる原因について考察;写図1表3参16