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J-GLOBAL ID：201602018546117972   整理番号：66A0202784

П-4型半導体トリオードの臨界周波数のエミッタ電流依存性

Зависимость критической частоты полупровод-никовых триодов типа П-4 от тока эмиттера.

著者 (1件)： ВАЖЕНИН И Н
資料名： Izv Vyssh Uchebn Zaved Fi  (Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenij. Fizika)
号： 3  ページ： 76-80  発行年： 1965年 
JST資料番号： R0145A  ISSN： 0021-3411  CODEN： IVUFA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN) 

抄録/ポイント： П-4型合金半導体トリオードの臨界周波数の,P-N-P構造の幾何学的形状および注入準位への依存性を研究した。実験結果を同誌〔2〕140(’62)などの理論的結果と比較した。注入準位の大きい場合に計算値と実験値との間に存在するずれは,移動性担体による散乱効果として説明される

タイトルに関連する用語 (4件)： トリオード ,  臨界周波数 ,  エミッタ ,  電流依存性