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J-GLOBAL ID：201602018555691452   整理番号：71A0261035

メィンフレームメモリ用MOS-RAMのユーザズ・ガイド

A user’s look at mos-rams for main frame memory.

著者 (2件)： LAUFFER D ,  LIM P
資料名： IEEE Int Conv Dig  (IEEE International Convention Digest)
号： Digest  ページ： 72-73  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0216B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 予稿  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOS-RAM技術は将来のメインフレームメモリとして確立されようとしており,いくつかのタイプが出ている。本文は主としてダイナミック形について,ユーザがシステムに適用しようとするとき考察すべきポイントについて概説した。まずクロックが必要であり,しかもその時間,波形などかなり厳密であることを要する。検出電流の大きさも一つのかぎであり,出力方式にプッシュ・プル方式など3種類ある。情報の更新(リフレッシュ)を要すること,情報が揮発性(ボラタイル)であること,誤りにバターン依存性のある場合があること,誤りの形態とその補正方式などに触れた;写図3

シソーラス用語： MOS集積回路 ,  集積回路メモリ ,  半導体メモリ
準シソーラス用語： 記憶回路